Ученые обнаружили новый альтермагнитный материал для создания сверхбыстрой электроники будущего

Физики нашли подлинные признаки альтермагнетизма в тонкослойном соединении кобальта, тантала и селена, пишет ScienceDaily.

Исследователи из Центрального флоридского университета (UCF) под руководством профессора физики Мадхаба Неупане обнаружили экспериментальные доказательства альтермагнетизма в слоистом материале. Результаты работы группы опубликованы в специализированных научных изданиях. Новое состояние сочетает в себе ключевые достоинства традиционных ферромагнетиков и антиферромагнетиков.

Альтермагнетики способны генерировать и регистрировать спиновые токи электронов без создания хаотических паразитных магнитных полей, которые мешают работе соседних компонентов в миниатюрных устройствах. Для изучения внутренней структуры материала физики применили метод фотоэлектронной спектроскопии с угловым и спиновым разрешением (ARPES). Измерения подтвердили наличие расщепления электронных зон с противоположной спиновой поляризацией.

Материал относится к дихалькогенидам переходных металлов и состоит из тончайших слоев, удерживаемых слабыми связями. Входящие в его состав атомы кобальта формируют необычные магнитные свойства. Ученые доказали, что альтермагнитное состояние формируется в толще самого материала, а не только на его поверхности. Открытие создает экспериментальную базу для развития спинтроники, энергоэффективных вычислительных систем и сверхбыстрой памяти.

Нашли ошибку в публикации? Сообщите нам об этом.